窒素とリンをゲート酸化膜界面へ導入したシリコンカーバイド電界効果トランジスタの電気特性改善

窒素とリンをゲート酸化膜界面へ導入したシリコンカーバイド電界効果トランジスタの電気特性改善

チッソ ト リン オ ゲート サンカマク カイメン エ ドウニュウシタ シリコン カーバイド デンカイ コウカ トランジスタ ノ デンキ トクセイ カイゼン

荒岡幹

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2012.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R009185

2

  • [MS]2012(1)

禁帯出

詳細情報

刊年

2012

別書名

Improvement of SiC MOSFET characteristic by introduced nitrogen and phosphorus

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2012年3月

注記

学位記番号: 修第5466号

学位授与年月日: 2012/3/23

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1031005

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

荒岡, 幹 (アラオカ, ツヨシ)

件名

SiC

シリコンカーバイド

MOS界面

POCl3

NO