メモリ特性改善に向けたシリコン酸化膜中コバルトナノドットの還元状態制御に関する研究

メモリ特性改善に向けたシリコン酸化膜中コバルトナノドットの還元状態制御に関する研究

メモリ トクセイ カイゼン ニ ムケタ シリコン サンカマクチュウ コバルト ナノドット ノ カンゲン ジョウタイ セイギョ ニ カンスル ケンキュウ

東條陽介

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R006922

2

  • [MS]2009(8)

禁帯出

詳細情報

刊年

2009

別書名

Controlled Reduction of Bionanodots for Better Charge Storage Characteristics of Bionanodots Flash Memory

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2009年3月

注記

学位記番号: 修第4494号

学位授与年月日: 2009/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0731052

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

東條, 陽介 (トウジョウ, ヨウスケ)

件名

バイオナノプロセス