メモリ特性改善に向けたシリコン酸化膜中コバルトナノドットの還元状態制御に関する研究

メモリ特性改善に向けたシリコン酸化膜中コバルトナノドットの還元状態制御に関する研究

メモリ トクセイ カイゼン ニ ムケタ シリコン サンカマクチュウ コバルト ナノドット ノ カンゲン ジョウタイ セイギョ ニ カンスル ケンキュウ

東條陽介

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3

Thesis / Diss.

Volume No.

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R006922

2

  • [MS]2009(8)

Restricted

Details

Publication year

2009

Alternative title

Controlled Reduction of Bionanodots for Better Charge Storage Characteristics of Bionanodots Flash Memory

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2009年3月

Note

学位記番号: 修第4494号

学位授与年月日: 2009/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0731052

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

東條, 陽介 (トウジョウ, ヨウスケ)

Subject

バイオナノプロセス