プラズマ援用化学的気相堆積法によるシリコンナノドットの形成とフローティングゲートメモリへの応用

プラズマ援用化学的気相堆積法によるシリコンナノドットの形成とフローティングゲートメモリへの応用

プラズマ エンヨウ カガクテキ キソウ タイセキホウ ニヨル シリコン ナノ ドット ノ ケイセイ ト フローティング ゲート メモリ エノ オウヨウ

市川和典

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2005.3

学位論文

巻号情報

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R003507

2

  • [MS]2005(2)

禁帯出

詳細情報

刊年

2005

別書名

Si nano dots fabricated by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and floating gate memory application

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2005年3月

注記

学位記番号: 修第3066号

授与年月日: 2005/03/24

学生番号: 0331006

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

市川, 和典 (イチカワ, カズノリ)

件名

Siドット

フローティングゲートメモリ

PECVD

量子効果