プラズマ エンヨウ カガクテキ キソウ タイセキホウ ニヨル シリコン ナノ ドット ノ ケイセイ ト フローティング ゲート メモリ エノ オウヨウ
市川和典
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2005.3
Thesis / Diss.| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
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1 |
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R003507 |
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2 |
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Restricted |
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2005
Si nano dots fabricated by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and floating gate memory application
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2005年3月
学位記番号: 修第3066号
授与年月日: 2005/03/24
学生番号: 0331006
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
市川, 和典 (イチカワ, カズノリ)
