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Interfacial and insulating properties of GaN metal-oxide-semiconductor structure with Al2O3 gate oxide

Interfacial and insulating properties of GaN metal-oxide-semiconductor structure with Al2O3 gate oxide

藤本裕太

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R015275

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1

  • Abstract

R015305

Details

Publication year

2019

Alternative title

Al2O3絶縁膜を用いたGaN MOS構造における界面と絶縁膜の特性評価

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2019年3月

Note

学位記番号: 博第1613号

報告番号: 甲第1613号

学位授与年月日: 2019/03/31

学位の種類: 博士(工学)

Country of publication

Japan

Title language

English (eng)

Language of texts

English (eng)

Author information

藤本, 裕太 (フジモト, ユウタ)

Subject

GaN

Al2O3

パワーデバイス

MOS構造

電気特性