詳細情報

刊年

2019

別書名

Al2O3絶縁膜を用いたGaN MOS構造における界面と絶縁膜の特性評価

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2019年3月

注記

学位記番号: 博第1613号

報告番号: 甲第1613号

学位授与年月日: 2019/03/31

学位の種類: 博士(工学)

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

藤本, 裕太 (フジモト, ユウタ)

件名

GaN

Al2O3

パワーデバイス

ＭＯＳ構造

電気特性