藤本裕太
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.3
1
R015275
R015305
2019
Al2O3絶縁膜を用いたGaN MOS構造における界面と絶縁膜の特性評価
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2019年3月
学位記番号: 博第1613号
報告番号: 甲第1613号
学位授与年月日: 2019/03/31
学位の種類: 博士(工学)
英語 (eng)
藤本, 裕太 (フジモト, ユウタ)
GaN
Al2O3
パワーデバイス
MOS構造
電気特性
GaNAl2O3パワーデバイスMOS構造電気特性