ブブン ショウシャ レーザー アニール シリコン オ モチイタ ハクマク ト ランジスタ ノ オフ デンリュウ テイゲン
餅井亮介
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.3
Thesis / Diss.
| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1 |
|
|
R015663 |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
Restricted |
|
2019
Off Current Reduction of TFT by Partial Laser Anneal Silicon
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2019年3月
学位記番号: 修第7970号
学位授与年月日: 2019/03/31
学位の種類: 修士(工学)
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
餅井, 亮介 (モチイ, リョウスケ)
