部分照射レーザーアニールシリコンを用いた薄膜トランジスタのオフ電流低減

部分照射レーザーアニールシリコンを用いた薄膜トランジスタのオフ電流低減

ブブン ショウシャ レーザー アニール シリコン オ モチイタ ハクマク ト ランジスタ ノ オフ デンリュウ テイゲン

餅井亮介

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R015663

2

  • [MS]2018(12)

禁帯出

詳細情報

刊年

2019

別書名

Off Current Reduction of TFT by Partial Laser Anneal Silicon

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2019年3月

注記

学位記番号: 修第7970号

学位授与年月日: 2019/03/31

学位の種類: 修士(工学)

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

餅井, 亮介 (モチイ, リョウスケ)

件名

薄膜トランジスタ

TFT

Si

PLAS

デバイスシミュレーション

レーザー