Al2O3 / GaN MOS キャパシタ ニ タイスル コウアツ スイジョウキ ショリ ノ ジョウケン イゾンセイ
中村翼
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.3
Thesis / Diss.
| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
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1 |
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R015648 |
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2 |
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Restricted |
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2019
Dependence of High Pressure Water Vapor Annealing conditions on Al2O3/GaN MOS capacitors
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2019年3月
学位記番号: 修第7953号
学位授与年月日: 2019/03/31
学位の種類: 修士(工学)
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
中村, 翼 (ナカムラ, ツバサ)
