Al2O3 / GaN MOS キャパシタ ニ タイスル コウアツ スイジョウキ ショリ ノ ジョウケン イゾンセイ
中村翼
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.3
1
R015648
2
禁帯出
2019
Dependence of High Pressure Water Vapor Annealing conditions on Al2O3/GaN MOS capacitors
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2019年3月
学位記番号: 修第7953号
学位授与年月日: 2019/03/31
学位の種類: 修士(工学)
日本語 (jpn)
中村, 翼 (ナカムラ, ツバサ)
GaN
Al2O3
高圧水蒸気処理
界面準位密度
C-V測定
MOSキャパシタ
GaNAl2O3高圧水蒸気処理界面準位密度C-V測定MOSキャパシタ
