タンケッショウ β-Ga2O3 ( 010 ) ヒョウメン ゴクアサ リョウイキ ノ ソセイ ト コウゾウ ヒョウカ
大上丞
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.3
Thesis / Diss.
| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
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1 |
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R015604 |
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2 |
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Restricted |
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2019
Composition and structure characterization of single crystal β-Ga2O3(010) ultra shallow region
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2019年3月
学位記番号: 修第7906号
学位授与年月日: 2019/03/31
学位の種類: 修士(理学)
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
大上, 丞 (オオガミ, タスク)
