単結晶β-Ga2O3(010)表面極浅領域の組成と構造評価

単結晶β-Ga2O3(010)表面極浅領域の組成と構造評価

タンケッショウ β-Ga2O3 ( 010 ) ヒョウメン ゴクアサ リョウイキ ノ ソセイ ト コウゾウ ヒョウカ

大上丞

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R015604

2

  • [MS]2018(3)

禁帯出

詳細情報

刊年

2019

別書名

Composition and structure characterization of single crystal β-Ga2O3(010) ultra shallow region

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2019年3月

注記

学位記番号: 修第7906号

学位授与年月日: 2019/03/31

学位の種類: 修士(理学)

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

大上, 丞 (オオガミ, タスク)

件名

カソードルミネッセンス

XPS

RHEED

ラマン

視斜角依存カソードルミネッセンス

電子線侵入