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Defect and Elemental Analysis of Oxide TFT toward an All-solution processed Device

Defect and Elemental Analysis of Oxide TFT toward an All-solution processed Device

Chaiyanan Kulchaisit

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2018.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R014297

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1

  • Abstract

R014379

Details

Publication year

2018

Alternative title

全溶液処理プロセスを目指した酸化物薄膜トランジスタの欠陥と元素分析

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2018年3月

Note

学位記番号: 博第1555号

報告番号: 甲第1555号

学位授与年月日: 2018/03/23

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1541029

Country of publication

Japan

Title language

English (eng)

Language of texts

English (eng)

Author information

Kulchaisit, Chaiyanan

Subject

oxide TFT

siloxane

a-IGZO

all-solution process

gate insulator

passivation layer