Defect and Elemental Analysis of Oxide TFT toward an All-solution processed Device

Defect and Elemental Analysis of Oxide TFT toward an All-solution processed Device

Chaiyanan Kulchaisit

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2018.3

学位論文

巻号情報

全2件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R014297

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R014379

詳細情報

刊年

2018

別書名

全溶液処理プロセスを目指した酸化物薄膜トランジスタの欠陥と元素分析

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2018年3月

注記

学位記番号: 博第1555号

報告番号: 甲第1555号

学位授与年月日: 2018/03/23

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1541029

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

Kulchaisit, Chaiyanan

件名

oxide TFT

siloxane

a-IGZO

all-solution process

gate insulator

passivation layer