コウアツ スイジョウキ ショリ オ ホドコシタ SiO2/n-GaN タテガタ MOS キャパシタ ニ オケル ブッセイ ヒョウカ オヨビ デンキテキ トクセイ ヒョウカ ニ カンスル ケンキュウ
冨永雄太
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2017.3
Thesis / Diss.
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1 |
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R013564 |
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2017
Evalution of phycical and electrical characterostics of vertical SiO2/n-GaN MOS capacitor treated by High Pressure Water Vapor Annealing
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2017年3月
学位記番号: 修第7222号
学位授与年月日: 2017/03/24
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 1531060
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
冨永, 雄太 (トミナガ, ユウタ)
