高圧水蒸気処理を施したSiO2/n-GaN縦型MOSキャパシタにおける物性評価および電気的特性評価に関する研究

高圧水蒸気処理を施したSiO2/n-GaN縦型MOSキャパシタにおける物性評価および電気的特性評価に関する研究

コウアツ スイジョウキ ショリ オ ホドコシタ SiO2/n-GaN タテガタ MOS キャパシタ ニ オケル ブッセイ ヒョウカ オヨビ デンキテキ トクセイ ヒョウカ ニ カンスル ケンキュウ

冨永雄太

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2017.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R013564

2

  • [MS]2016(27)

禁帯出

詳細情報

刊年

2017

別書名

Evalution of phycical and electrical characterostics of vertical SiO2/n-GaN MOS capacitor treated by High Pressure Water Vapor Annealing

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2017年3月

注記

学位記番号: 修第7222号

学位授与年月日: 2017/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1531060

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

冨永, 雄太 (トミナガ, ユウタ)

件名

窒化ガリウム