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光電子回折によるInドープBi2Se3のドーパント周辺の局所構造解析

光電子回折によるInドープBi2Se3のドーパント周辺の局所構造解析

コウ デンシ カイセツ ニ ヨル In ドープ Bi2Se3 ノ ドーパント シュウヘン ノ キョクショ コウゾウ カイセキ

田中一光

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2017.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R013558

2

  • [MS]2016(26)

Restricted

Details

Publication year

2017

Alternative title

Local atomic structure around dopants of In doped Bi2Se3 analyzed by photoelectron diffraction

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2017年3月

Note

学位記番号: 修第7216号

学位授与年月日: 2017/03/24

学位の種類: 修士(理学)

学生番号: 1531053

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

田中, 一光 (タナカ, イッコウ)

Subject

光電子回折

光電子分光

トポロジカル絶縁体