光電子回折によるInドープBi2Se3のドーパント周辺の局所構造解析

光電子回折によるInドープBi2Se3のドーパント周辺の局所構造解析

コウ デンシ カイセツ ニ ヨル In ドープ Bi2Se3 ノ ドーパント シュウヘン ノ キョクショ コウゾウ カイセキ

田中一光

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2017.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R013558

2

  • [MS]2016(26)

禁帯出

詳細情報

刊年

2017

別書名

Local atomic structure around dopants of In doped Bi2Se3 analyzed by photoelectron diffraction

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2017年3月

注記

学位記番号: 修第7216号

学位授与年月日: 2017/03/24

学位の種類: 修士(理学)

学生番号: 1531053

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

田中, 一光 (タナカ, イッコウ)

件名

光電子回折

光電子分光

トポロジカル絶縁体