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Analysis of high mobility amorphous InGaZnO thin film transistor using solution processed high-k SrTa2O6 as a gate insulator

Analysis of high mobility amorphous InGaZnO thin film transistor using solution processed high-k SrTa2O6 as a gate insulator

及川賢人

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2017.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R013516

2

  • [MS]2016(20)

Restricted

Details

Publication year

2017

Alternative title

高誘電体材料SrTa2O6を用いた高移動度アモルファスInGaZnO薄膜トランジスタの解析

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2017年3月

Note

学位記番号: 修第7174号

学位授与年月日: 2017/03/24

学位の種類: 修士(理学)

学生番号: 1531009

Country of publication

Japan

Title language

English (eng)

Language of texts

English (eng)

Author information

及川, 賢人 (オイカワ, ケント)

Subject

thin film transistor

high-k

solution process

SrTa2O6