及川賢人
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2017.3
1
R013516
2
禁帯出
2017
高誘電体材料SrTa2O6を用いた高移動度アモルファスInGaZnO薄膜トランジスタの解析
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2017年3月
学位記番号: 修第7174号
学位授与年月日: 2017/03/24
学位の種類: 修士(理学)
学生番号: 1531009
英語 (eng)
及川, 賢人 (オイカワ, ケント)
thin film transistor
high-k
solution process
SrTa2O6
thin film transistorhigh-ksolution processSrTa2O6