Analysis of high mobility amorphous InGaZnO thin film transistor using solution processed high-k SrTa2O6 as a gate insulator

Analysis of high mobility amorphous InGaZnO thin film transistor using solution processed high-k SrTa2O6 as a gate insulator

及川賢人

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2017.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R013516

2

  • [MS]2016(20)

禁帯出

詳細情報

刊年

2017

別書名

高誘電体材料SrTa2O6を用いた高移動度アモルファスInGaZnO薄膜トランジスタの解析

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2017年3月

注記

学位記番号: 修第7174号

学位授与年月日: 2017/03/24

学位の種類: 修士(理学)

学生番号: 1531009

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

及川, 賢人 (オイカワ, ケント)

件名

thin film transistor

high-k

solution process

SrTa2O6