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窒化物半導体における金属-絶縁膜-半導体構造の特性評価と界面制御に関する研究

窒化物半導体における金属-絶縁膜-半導体構造の特性評価と界面制御に関する研究

チッカブツ ハンドウタイ ニ オケル キンゾク ゼツエンマク ハンドウタイ コウゾウ ノ トクセイ ヒョウカ ト カイメン セイギョ ニ カンスル ケンキュウ

吉嗣晃治

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2016.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
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1

R012396

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1

  • Abstract

R012435

Details

Publication year

2016

Alternative title

Research on Characterizations and Interface Control of Metal-Insulator-Semiconductor Structure in Nitride Semiconductors

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2016年3月

Note

学位記番号: 博第1349号

報告番号: 甲第1349号

学位授与年月日: 2016/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1341018

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

吉嗣, 晃治 (ヨシツグ, コウジ)

Subject

窒化物半導体

パワー半導体

MIS界面

高圧水蒸気処理

原子層堆積法

プラズマ誘起損傷