窒化物半導体における金属-絶縁膜-半導体構造の特性評価と界面制御に関する研究

窒化物半導体における金属-絶縁膜-半導体構造の特性評価と界面制御に関する研究

チッカブツ ハンドウタイ ニ オケル キンゾク ゼツエンマク ハンドウタイ コウゾウ ノ トクセイ ヒョウカ ト カイメン セイギョ ニ カンスル ケンキュウ

吉嗣晃治

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2016.3

学位論文

巻号情報

全2件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R012396

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R012435

詳細情報

刊年

2016

別書名

Research on Characterizations and Interface Control of Metal-Insulator-Semiconductor Structure in Nitride Semiconductors

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2016年3月

注記

学位記番号: 博第1349号

報告番号: 甲第1349号

学位授与年月日: 2016/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1341018

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

吉嗣, 晃治 (ヨシツグ, コウジ)

件名

窒化物半導体

パワー半導体

MIS界面

高圧水蒸気処理

原子層堆積法

プラズマ誘起損傷