• Top
  • Details (Local collection)
半導体基板表面ラフネスがシリコンカーバイド電界効果トランジスタの電気特性に及ぼす影響

半導体基板表面ラフネスがシリコンカーバイド電界効果トランジスタの電気特性に及ぼす影響

ハンドウタイ キバン ヒョウメン ラフネス ガ シリコン カーバイド デンカイ コウカ トランジスタ ノ デンキ トクセイ ニ オヨボス エイキョウ

串阪哲也

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2014.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R011001

2

  • [MS]2014(5)

Restricted

Details

Publication year

2014

Alternative title

Effects of Surface Roughness on Electrical Properties of Silicon Carbide MOS Field-Effect Transistors

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2014年3月

Note

学位記番号: 修第6182号

学位授与年月日: 2014/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1231030

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

串阪, 哲也 (クシサカ, テツヤ)

Subject

SiC

MOSFET

roughness