半導体基板表面ラフネスがシリコンカーバイド電界効果トランジスタの電気特性に及ぼす影響

半導体基板表面ラフネスがシリコンカーバイド電界効果トランジスタの電気特性に及ぼす影響

ハンドウタイ キバン ヒョウメン ラフネス ガ シリコン カーバイド デンカイ コウカ トランジスタ ノ デンキ トクセイ ニ オヨボス エイキョウ

串阪哲也

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2014.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R011001

2

  • [MS]2014(5)

禁帯出

詳細情報

刊年

2014

別書名

Effects of Surface Roughness on Electrical Properties of Silicon Carbide MOS Field-Effect Transistors

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2014年3月

注記

学位記番号: 修第6182号

学位授与年月日: 2014/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1231030

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

串阪, 哲也 (クシサカ, テツヤ)

件名

SiC

MOSFET

roughness