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塗布形成により作製した半導体量子ドットデバイスの受光特性

塗布形成により作製した半導体量子ドットデバイスの受光特性

トフ ケイセイ ニ ヨリ サクセイシタ ハンドウタイ リョウシ ドット デバイス ノ ジュコウ トクセイ

喜多雄嗣

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2014.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R010997

2

  • [MS]2014(5)

Restricted

Details

Publication year

2014

Alternative title

Photodetection properties of semiconductor quantum dot devices fabricated by coating method

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2014年3月

Note

学位記番号: 修第6178号

学位授与年月日: 2014/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1231026

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

喜多, 雄嗣 (キタ, ユウジ)

Subject

Quantum Dot

Lamgmuir-Blodgett法

Spin-coated

InGaZnO

P3HT

Photodetector