塗布形成により作製した半導体量子ドットデバイスの受光特性

塗布形成により作製した半導体量子ドットデバイスの受光特性

トフ ケイセイ ニ ヨリ サクセイシタ ハンドウタイ リョウシ ドット デバイス ノ ジュコウ トクセイ

喜多雄嗣

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2014.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R010997

2

  • [MS]2014(5)

禁帯出

詳細情報

刊年

2014

別書名

Photodetection properties of semiconductor quantum dot devices fabricated by coating method

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2014年3月

注記

学位記番号: 修第6178号

学位授与年月日: 2014/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1231026

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

喜多, 雄嗣 (キタ, ユウジ)

件名

Quantum Dot

Lamgmuir-Blodgett法

Spin-coated

InGaZnO

P3HT

Photodetector