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リンおよび窒素をゲート酸化膜/半導体界面に導入したシリコンカーバイド電界効果トランジスタのしきい値電圧不安定性に関する考察

リンおよび窒素をゲート酸化膜/半導体界面に導入したシリコンカーバイド電界効果トランジスタのしきい値電圧不安定性に関する考察

リン オヨビ チッソ オ ゲート サンカマク ハンドウタイ カイメン ニ ドウニュウシタ シリコンカーバイド デンカイ コウカ トランジスタ ノ シキイチ デンアツ フアンテイセイ ニ カンスル コウサツ

金藤夏子

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2014.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R010996

2

  • [MS]2014(5)

Restricted

Details

Publication year

2014

Alternative title

A Study on Threshold Voltage Instability in SiC MOS Field-Effect Transistor with POCl3- and NO-Annealed Gate Oxides

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2014年3月

Note

学位記番号: 修第6177号

学位授与年月日: 2014/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1231025

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

金藤, 夏子 (カナフジ, ナツコ)

Subject

SiC

mos

しきい値

リン

窒素