リン オヨビ チッソ オ ゲート サンカマク ハンドウタイ カイメン ニ ドウニュウシタ シリコンカーバイド デンカイ コウカ トランジスタ ノ シキイチ デンアツ フアンテイセイ ニ カンスル コウサツ
金藤夏子
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2014.3
Thesis / Diss.No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
---|---|---|---|---|---|---|---|
1 |
|
|
R010996 |
|
|
|
|
2 |
|
|
|
Restricted |
|
2014
A Study on Threshold Voltage Instability in SiC MOS Field-Effect Transistor with POCl3- and NO-Annealed Gate Oxides
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2014年3月
学位記番号: 修第6177号
学位授与年月日: 2014/03/24
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 1231025
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
金藤, 夏子 (カナフジ, ナツコ)