リンおよび窒素をゲート酸化膜/半導体界面に導入したシリコンカーバイド電界効果トランジスタのしきい値電圧不安定性に関する考察

リンおよび窒素をゲート酸化膜/半導体界面に導入したシリコンカーバイド電界効果トランジスタのしきい値電圧不安定性に関する考察

リン オヨビ チッソ オ ゲート サンカマク ハンドウタイ カイメン ニ ドウニュウシタ シリコンカーバイド デンカイ コウカ トランジスタ ノ シキイチ デンアツ フアンテイセイ ニ カンスル コウサツ

金藤夏子

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2014.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R010996

2

  • [MS]2014(5)

禁帯出

詳細情報

刊年

2014

別書名

A Study on Threshold Voltage Instability in SiC MOS Field-Effect Transistor with POCl3- and NO-Annealed Gate Oxides

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2014年3月

注記

学位記番号: 修第6177号

学位授与年月日: 2014/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1231025

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

金藤, 夏子 (カナフジ, ナツコ)

件名

SiC

mos

しきい値

リン

窒素