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Oxide Semiconductor Thin Film Transistors with High-K Dielectric Material Fabricated by Solution Process

Oxide Semiconductor Thin Film Transistors with High-K Dielectric Material Fabricated by Solution Process

呂莉

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R010040

2

  • [MS]2013

Restricted

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R010087

Details

Publication year

2013

Alternative title

溶液プロセスによる高誘電率材料を用いた酸化物系薄膜トランジスタの作製

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2013年3月

Note

学位記番号: 博第1145号

学位授与年月日: 2013/3/22

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1041021

Country of publication

Japan

Title language

English (eng)

Language of texts

English (eng)

Author information

呂, 莉 (ロ, リ)

Subject

Oxide semiconductor thin film transistor

High-k dielectric material

Solution process

Low temperature

High performance

Low operating-voltage