呂莉
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.3
1
R010040
2
禁帯出
R010087
2013
溶液プロセスによる高誘電率材料を用いた酸化物系薄膜トランジスタの作製
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2013年3月
学位記番号: 博第1145号
学位授与年月日: 2013/3/22
学位の種類: 博士(工学)
学生番号: 1041021
英語 (eng)
呂, 莉 (ロ, リ)
Oxide semiconductor thin film transistor
High-k dielectric material
Solution process
Low temperature
High performance
Low operating-voltage
Oxide semiconductor thin film transistorHigh-k dielectric materialSolution processLow temperatureHigh performanceLow operating-voltage