ゲート チッカ ゼツエンマク オ モチイタ アモルファス InGaZnO ハクマク トランジスタ ノ コウシンライセイカ ニ カンスル ケンキュウ
山崎はるか
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.3
Thesis / Diss.
| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
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1 |
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R009979 |
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2013
Highly reliable amorphous InGaZnO thin-film transistor using silicon nitride gate insulator
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2013年3月
学位記番号: 修第5881号
学位授与年月日: 2013/3/22
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 1131091
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
山崎, ハルカ (ヤマザキ, ハルカ)
