ゲート窒化絶縁膜を用いたアモルファスInGaZnO薄膜トランジスタの高信頼性化に関する研究

ゲート窒化絶縁膜を用いたアモルファスInGaZnO薄膜トランジスタの高信頼性化に関する研究

ゲート チッカ ゼツエンマク オ モチイタ アモルファス InGaZnO ハクマク トランジスタ ノ コウシンライセイカ ニ カンスル ケンキュウ

山崎はるか

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R009979

2

  • [MS]2013(14)

禁帯出

詳細情報

刊年

2013

別書名

Highly reliable amorphous InGaZnO thin-film transistor using silicon nitride gate insulator

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2013年3月

注記

学位記番号: 修第5881号

学位授与年月日: 2013/3/22

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1131091

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

山崎, ハルカ (ヤマザキ, ハルカ)

件名

アモルファスInGaZnO

薄膜トランジスタ

ゲート絶縁膜

信頼性