• Top
  • Details (Local collection)
GaAs(110)酸化狭窄VCSELに向けた結晶成長とデバイス作製

GaAs(110)酸化狭窄VCSELに向けた結晶成長とデバイス作製

GaAs(110) サンカ キョウサク VCSEL ニ ムケタ ケッショウ セイチョウ ト デバイス サクセイ

村田洋輔

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R009975

2

  • [MS]2013(13)

Restricted

Details

Publication year

2013

Alternative title

Crystal growth and device fabrication for GaAs(110) oxide-confined VCSELs

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2013年3月

Note

学位記番号: 修第5877号

学位授与年月日: 2013/3/22

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1131086

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

村田, 洋輔 (ムラタ, ヨウスケ)

Subject

分子線エピタキシー

GaAs(110)量子井戸

酸化狭窄

低抵抗化

スピントロニクス

面発光半導体レーザ