GaAs(110)酸化狭窄VCSELに向けた結晶成長とデバイス作製

GaAs(110)酸化狭窄VCSELに向けた結晶成長とデバイス作製

GaAs(110) サンカ キョウサク VCSEL ニ ムケタ ケッショウ セイチョウ ト デバイス サクセイ

村田洋輔

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R009975

2

  • [MS]2013(13)

禁帯出

詳細情報

刊年

2013

別書名

Crystal growth and device fabrication for GaAs(110) oxide-confined VCSELs

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2013年3月

注記

学位記番号: 修第5877号

学位授与年月日: 2013/3/22

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1131086

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

村田, 洋輔 (ムラタ, ヨウスケ)

件名

分子線エピタキシー

GaAs(110)量子井戸

酸化狭窄

低抵抗化

スピントロニクス

面発光半導体レーザ