エンソガス ネツエッチング ニ ヨリ ケイセイサレタ タンカケイソ ノ ヒョウメン デンシ ブッセイ ノ カイセキ
田村哲也
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.3
Thesis / Diss.No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
---|---|---|---|---|---|---|---|
1 |
|
|
R009945 |
|
|
|
|
2 |
|
|
|
Restricted |
|
2013
Electronic Properties of Silicon Carbide Surface Formed by Thermal Chlorine Etching
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2013年3月
学位記番号: 修第5847号
学位授与年月日: 2013/3/22
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 1131052
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
田村, 哲也 (タムラ, テツヤ)