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塩素ガス熱エッチングにより形成された炭化ケイ素の表面電子物性の解析

塩素ガス熱エッチングにより形成された炭化ケイ素の表面電子物性の解析

エンソガス ネツエッチング ニ ヨリ ケイセイサレタ タンカケイソ ノ ヒョウメン デンシ ブッセイ ノ カイセキ

田村哲也

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R009945

2

  • [MS]2013(8)

Restricted

Details

Publication year

2013

Alternative title

Electronic Properties of Silicon Carbide Surface Formed by Thermal Chlorine Etching

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2013年3月

Note

学位記番号: 修第5847号

学位授与年月日: 2013/3/22

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1131052

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

田村, 哲也 (タムラ, テツヤ)

Subject

塩素ガス熱エッチング

炭化ケイ素

ショットキーバリアダイオード

(03-3-8)

ショットキー障壁の高さ

理想因子n値