塩素ガス熱エッチングにより形成された炭化ケイ素の表面電子物性の解析

塩素ガス熱エッチングにより形成された炭化ケイ素の表面電子物性の解析

エンソガス ネツエッチング ニ ヨリ ケイセイサレタ タンカケイソ ノ ヒョウメン デンシ ブッセイ ノ カイセキ

田村哲也

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R009945

2

  • [MS]2013(8)

禁帯出

詳細情報

刊年

2013

別書名

Electronic Properties of Silicon Carbide Surface Formed by Thermal Chlorine Etching

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2013年3月

注記

学位記番号: 修第5847号

学位授与年月日: 2013/3/22

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1131052

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

田村, 哲也 (タムラ, テツヤ)

件名

塩素ガス熱エッチング

炭化ケイ素

ショットキーバリアダイオード

(03-3-8)

ショットキー障壁の高さ

理想因子n値