サンカマク/シリコン カーバイド カイメン ニ リン オ キョクショテキ ニ ドウニュウシタ MOS デバイス ノ デンキ トクセイ ト シンライセイ ヒョウカ
赤木剛
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.3
Thesis / Diss.
| No. | Printing year | Location | Call Number | Material ID | Circulation class | Status | Waiting |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1 |
|
|
R009902 |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
Restricted |
|
2013
Effect of Interfacial Localization of Phosphorus on Electrical Properties and Reliability of 4H-SiC MOS Devices
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2013年3月
学位記番号: 修第5804号
学位授与年月日: 2013/3/22
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 1131001
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
赤木, 剛 (アカギ, ツヨシ)
