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プラズマ原子層堆積法を用いた酸化亜鉛トランジスタのプロセス低温化および高性能化に関する研究

プラズマ原子層堆積法を用いた酸化亜鉛トランジスタのプロセス低温化および高性能化に関する研究

プラズマ ゲンシソウ タイセキホウ オ モチイタ サンカ アエン トランジスタ ノ プロセス テイオンカ オヨビ コウセイノウカ ニ カンスル ケンキュウ

谷真衣

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2012.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R009231

2

  • [MS]2012(9)

Restricted

Details

Publication year

2012

Alternative title

Research on production of low temperature and high performance ZnO thin film transistors by plasma assisted atomic layer deposition method

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2012年3月

Note

学位記番号: 修第5512号

学位授与年月日: 2012/3/23

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1031053

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

谷, 真衣 (タニ, マイ)

Subject

薄膜トランジスタ

酸化亜鉛

原子層堆積法

ディスプレイ

低温化