プラズマ原子層堆積法を用いた酸化亜鉛トランジスタのプロセス低温化および高性能化に関する研究

プラズマ原子層堆積法を用いた酸化亜鉛トランジスタのプロセス低温化および高性能化に関する研究

プラズマ ゲンシソウ タイセキホウ オ モチイタ サンカ アエン トランジスタ ノ プロセス テイオンカ オヨビ コウセイノウカ ニ カンスル ケンキュウ

谷真衣

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2012.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R009231

2

  • [MS]2012(9)

禁帯出

詳細情報

刊年

2012

別書名

Research on production of low temperature and high performance ZnO thin film transistors by plasma assisted atomic layer deposition method

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2012年3月

注記

学位記番号: 修第5512号

学位授与年月日: 2012/3/23

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1031053

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

谷, 真衣 (タニ, マイ)

件名

薄膜トランジスタ

酸化亜鉛

原子層堆積法

ディスプレイ

低温化