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Development and Analysis of High-Performance SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Phosphorus-Doped Gate Oxide

Development and Analysis of High-Performance SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Phosphorus-Doped Gate Oxide

Dai Okamoto

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3

Thesis / Diss.

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Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R008581

2

  • [MS]2011

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要旨
要旨
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1

  • Abstract

R008626

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Details

Publication year

2011

Alternative title

リンドープゲート酸化膜を用いた高性能SiC金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタの作製と解析

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2011年3月

Note

学位記番号: 博第1008号

学位授与年月日: 2011/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0841004

Country of publication

Japan

Title language

English (eng)

Language of texts

English (eng)

Author information

岡本, 大 (オカモト, ダイ)

Subject

シリコンカーバイド

MOSFET

パワー半導体デバイス

SiC

界面準位

チャネル移動度

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