Development and Analysis of High-Performance SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Phosphorus-Doped Gate Oxide

Development and Analysis of High-Performance SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Phosphorus-Doped Gate Oxide

Dai Okamoto

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3

学位論文

巻号情報

全2件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R008581

2

  • [MS]2011

禁帯出

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R008626

詳細情報

刊年

2011

別書名

リンドープゲート酸化膜を用いた高性能SiC金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタの作製と解析

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2011年3月

注記

学位記番号: 博第1008号

学位授与年月日: 2011/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0841004

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

岡本, 大 (オカモト, ダイ)

件名

シリコンカーバイド

MOSFET

パワー半導体デバイス

SiC

界面準位

チャネル移動度