Dai Okamoto
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3
1
R008581
2
禁帯出
R008626
2011
リンドープゲート酸化膜を用いた高性能SiC金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタの作製と解析
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2011年3月
学位記番号: 博第1008号
学位授与年月日: 2011/03/24
学位の種類: 博士(工学)
学生番号: 0841004
英語 (eng)
岡本, 大 (オカモト, ダイ)
シリコンカーバイド
MOSFET
パワー半導体デバイス
SiC
界面準位
チャネル移動度
シリコンカーバイドMOSFETパワー半導体デバイスSiC界面準位チャネル移動度