1.55 ミクロンタイ InGaAs / InAlGaAs リョウシ イド ハンドウタイ レーザ ノ サクセイ ト ヒョウカ
土山佳寿哉
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3
Thesis / Diss.
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1 |
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R008500 |
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2011
Fabrication and characterization of 1.55 μm InGaAs/InAlGaAs multiple quantum well semiconductor laser
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2011年3月
学位記番号: 修第5173号
学位授与年月日: 2011/03/24
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 0931042
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
土山, 佳寿哉 (ツチヤマ, カズヤ)
