1.55 μm帯InGaAs/InAlGaAs量子井戸半導体レーザの作製と評価

1.55 μm帯InGaAs/InAlGaAs量子井戸半導体レーザの作製と評価

1.55 ミクロンタイ InGaAs / InAlGaAs リョウシ イド ハンドウタイ レーザ ノ サクセイ ト ヒョウカ

土山佳寿哉

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3

学位論文

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No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

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R008500

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  • [MS]2011(9)

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刊年

2011

別書名

Fabrication and characterization of 1.55 μm InGaAs/InAlGaAs multiple quantum well semiconductor laser

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2011年3月

注記

学位記番号: 修第5173号

学位授与年月日: 2011/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0931042

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

土山, 佳寿哉 (ツチヤマ, カズヤ)

件名

1.55

InGaAs

InAlGaAs

半導体レーザ

分子線エピタキシ

InP(001)

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