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リン導入による酸化膜/カーボン面シリコンカーバイド界面の改質と電界効果トランジスタ特性の改善

リン導入による酸化膜/カーボン面シリコンカーバイド界面の改質と電界効果トランジスタ特性の改善

リン ドウニュウ ニヨル サンカマク カーボンメン シリコン カーバイド カイメン ノ カイシツ ト デンカイ コウカ トランジスタ トクセイ ノ カイゼン

小竹慎也

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R008486

2

  • [MS]2011(6)

Restricted

Details

Publication year

2011

Alternative title

Improvement in electrical properties at SiO2/C-face 4H-SiC interface by phosphorus incorporation

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2011年3月

Note

学位記番号: 修第5158号

学位授与年月日: 2011/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0931027

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

小竹, 慎也 (コタケ, シンヤ)

Subject

炭化ケイ素

SiC

C面

リン

界面準位

MOSFET