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非破壊読み出し強誘電体メモリおよびヘテロエピタキシャル強誘電体ゲート薄膜トランジスタに関する研究

非破壊読み出し強誘電体メモリおよびヘテロエピタキシャル強誘電体ゲート薄膜トランジスタに関する研究

ヒハカイ ヨミダシ キョウユウデンタイ メモリ オヨビ ヘテロ エピタキシャル キョウユウデンタイ ゲート ハクマク トランジスタ ニ カンスル ケンキュウ

加藤剛久

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R007022

2

  • [MS]2009

Restricted

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R007080

Details

Publication year

2009

Alternative title

Study on a nondestructive-readout-operation ferroelectric random access memory and a heteroepitaxial ferroelectric gate thin film transistor

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2009年3月

Note

学位記番号: 博第865号

報告番号: 甲第865号

学位授与年月日: 2009/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0841005

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

加藤, 剛久 (カトウ, ヨシヒサ)

Subject

強誘電体

非破壊読み出し

薄膜トランジスタ

強誘電体ゲートトランジスタ

ヘテロエピタキシャル

ZnO