非破壊読み出し強誘電体メモリおよびヘテロエピタキシャル強誘電体ゲート薄膜トランジスタに関する研究

非破壊読み出し強誘電体メモリおよびヘテロエピタキシャル強誘電体ゲート薄膜トランジスタに関する研究

ヒハカイ ヨミダシ キョウユウデンタイ メモリ オヨビ ヘテロ エピタキシャル キョウユウデンタイ ゲート ハクマク トランジスタ ニ カンスル ケンキュウ

加藤剛久

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3

学位論文

巻号情報

全2件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R007022

2

  • [MS]2009

禁帯出

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R007080

詳細情報

刊年

2009

別書名

Study on a nondestructive-readout-operation ferroelectric random access memory and a heteroepitaxial ferroelectric gate thin film transistor

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2009年3月

注記

学位記番号: 博第865号

報告番号: 甲第865号

学位授与年月日: 2009/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0841005

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

加藤, 剛久 (カトウ, ヨシヒサ)

件名

強誘電体

非破壊読み出し

薄膜トランジスタ

強誘電体ゲートトランジスタ

ヘテロエピタキシャル

ZnO