• Top
  • Details (Local collection)
Laser Crystallization of Non Two-dimensional Silicon Substrate for Thin Film Device Application

Laser Crystallization of Non Two-dimensional Silicon Substrate for Thin Film Device Application

Yuta Sugawara

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R007015

2

  • [MS]2009

Restricted

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R007073

Details

Publication year

2009

Alternative title

レーザー結晶化による非二次元シリコン基板作製とその薄膜デバイス応用

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2009年3月

Note

学位記番号: 博第858号

報告番号: 甲第858号

学位授与年月日: 2009/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0641010

Country of publication

Japan

Title language

English (eng)

Language of texts

English (eng)

Author information

菅原, 祐太 (スガワラ, ユウタ)

Subject

thin film transistor

laser annealing crystallization

poly-Si

low-temperature process