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ゾル・ゲル法によるチタン酸バリウム半導体薄膜の作製とその電気的特性

ゾル・ゲル法によるチタン酸バリウム半導体薄膜の作製とその電気的特性

ゾル ゲルホウ ニ ヨル チタンサン バリウム ハンドウタイ ハクマク ノ サクセイ ト ソノ デンキテキ トクセイ

大橋健

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R006891

2

  • [MS]2009(3)

Restricted

Details

Publication year

2009

Alternative title

Fabrication and characterization of semiconductive Barium titanate thin film by sol-gel method

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2009年3月

Note

学位記番号: 修第4463号

学位授与年月日: 2009/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0731018

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

大橋, 健 (オオハシ, ケン)

Subject

チタン酸バリウム

ゾル・ゲル

薄膜

半導体

PTC

透明