ゾル・ゲル法によるチタン酸バリウム半導体薄膜の作製とその電気的特性

ゾル・ゲル法によるチタン酸バリウム半導体薄膜の作製とその電気的特性

ゾル ゲルホウ ニ ヨル チタンサン バリウム ハンドウタイ ハクマク ノ サクセイ ト ソノ デンキテキ トクセイ

大橋健

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R006891

2

  • [MS]2009(3)

禁帯出

詳細情報

刊年

2009

別書名

Fabrication and characterization of semiconductive Barium titanate thin film by sol-gel method

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2009年3月

注記

学位記番号: 修第4463号

学位授与年月日: 2009/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0731018

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

大橋, 健 (オオハシ, ケン)

件名

チタン酸バリウム

ゾル・ゲル

薄膜

半導体

PTC

透明